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Li掺杂p型Zn1-xMgxO薄膜及ZnO和ZnMgO纳米材料的研究
论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,远大于室温热能(26meV),因而理论上会在室温下获得高效的紫外激子发光和激...