![P型GaN欧姆接触特性研究]()
论文摘要GaN由于其优越的物理性质和在高温高频大功率电子器件中的应用潜力,近年来一直得到了许多研究者的青睐。尤其是当p-GaN材料生长的研究获得很大进展后,双极器件和光电器件受...
![异质结双极晶体管HBT单边增益研究]()
论文摘要为了提高因特网的负载能力,传输速率在100Gb/s和160Gb/s受到了广泛的关注,但是这种应用需要高性能能够工作于高频下的晶体管,并且要求这种晶体管的截止频率在300...
![InP基PIN光探测器＋HBT单片集成光接收机前端的研究]()
论文摘要本论文的工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”（项目编号:2003C...
![单片集成光接收机前端关键技术及相关新型光电子器件的研究]()
论文摘要互联网的飞速发展、持续增加的带宽需求成为光纤通信系统发展的驱动力。目前,光纤通信正在向智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光网络演进,因此对光电器件也提出了更高的要...
![HBT模型参数提取方法及InP基单片集成器件的研究]()
论文摘要本论文工作是围绕本论文工作是围绕国家重点基础研究发展计划（973计划）项目（No.2003CB314901）、国家高科技研究发展计划（863计划）项目（No.2003A...
![微波功率SiGe HBT关键技术研究]()
论文摘要微波功率晶体管对军事电子系统中固态发射机的功能、性能及应用范围起到了重要的推动和支撑作用。对L及其以下波段的固态发射机,SiBJT（双极晶体管）是首选器件,但是SiBJ...
