• 纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究

    纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究

    论文摘要集成电路不断向着高集成度的方向发展,伴随器件尺寸的缩小,短沟道效应对器件性能的影响也日益严重,成为制约器件进一步小型化的主要因素。为了实现更好的电路性能,抑制短沟道效应...
  • 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析

    纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析

    论文摘要随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之一。基...