![6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长]()
论文摘要在6H-SiC衬底上异质外延生长SiCGe薄膜,通过调节材料的禁带宽度从而实现材料对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用,具有很高的实用价值...
![InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用]()
论文摘要人类通信需求量的急剧增长是光纤通信系统发展的潜在驱动力,而新一代光纤通信系统的发展必然要以新型通信光电子器件作为支撑。当前通信光电子器件正处于由分立转向集成的重大变革时...
![贵金属表面低能沉积的分子动力学模拟]()
论文摘要低能沉积薄膜生长的微观机制直接影响着薄膜的生长模式、表面形貌和微观结构,进而决定着薄膜材料的力学、电学和磁学等物理性能,从原子尺度上去研究薄膜生长过程和微观机制,对于解...
![SiCGe/SiC异质结光控达林顿晶体管设计及SiCGe/SiC异质结的制备]()
论文摘要随着SiC器件广泛而深入的研究，光控碳化硅器件也渐渐地引起人们的研究兴趣。由于禁带宽，SiC光开关只能受控于紫外光源而非常用的可见和红外光源。从实际应用出发，利用SiC...
![载能沉积过程与异质外延生长行为的分子动力学模拟研究]()
论文摘要低温等离子体辅助薄膜生长是改善薄膜质量的重要手段，已经广泛应用于各种薄膜材料的制备之中。从原子尺度上研究薄膜生长过程和微观机制，对于揭示薄膜生长的物理本质、控制生长条件...
![单片集成通信光电子器件中异质兼容问题的理论与实验研究]()
论文摘要本论文研究工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”（项目编号：2003...
![SiC上SiCGe薄膜的制备及其特性分析]()
论文摘要SiC由于禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜,通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的...
![赵德鹤：金刚石/立方氮化硼异质外延界面的第一性原理研究论文]()
本文主要研究内容作者赵德鹤（2019）在《金刚石/立方氮化硼异质外延界面的第一性原理研究》一文中研究指出：立方氮化硼(cubicboronnitride,c-BN)和金刚石(d...
