源场板论文

4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统半导体材料Si和GaAs相比,SiC材料...