![原子层淀积铂纳米晶及其存储效应研究]()
论文摘要随着半导体工艺技术的不断发展,芯片的特征尺寸不断减小,传统的基于多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战。而基于分离节点存储的金属纳米晶存储器,可以实现在较薄的隧穿层下具...
![先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究]()
论文摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为...
![面向45nm铜互连及铜接触工艺的超薄扩散阻挡层研究]()
论文摘要当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及可靠性产生威胁而成为一个巨大挑战。为寻求...
![钌金属纳米晶的制备及其在非挥发快闪存储中的应用]()
论文摘要随着半导体快闪存储器的特征尺寸不断缩小,传统的多晶硅浮栅存储器正面临着严峻的挑战。分离的金属纳米晶存储器以其独特的电荷存储结构,可以实现更好的数据保存特性和更薄的隧穿氧...
![表面后处理对原子层淀积HfO2介质的高密度MIM电容性能改善研究]()
论文摘要本文采用原子层淀积（ALD）技术,以四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）与去离子水（H2O）为反应源,制备了高介电常数HfO2介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO2介...
![集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究]()
论文摘要随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层...
![原子层淀积高介电常数栅介质研究]()
论文摘要随着微电子技术的飞速发展，作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小。然而，当传统栅介质SiO2的厚度减...
