![多晶硅TFT有源OLED双管像素电路研究]()
一、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究（论文文献综述）关肖飞[1]（2020）在《基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计》文中认为有机发光二极管（Org...
![Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性研究]()
论文摘要有机场效应晶体管(OFETs)是有机电子学重要的研究课题之一。有机场效应晶体管具有柔性可弯曲、低成本、可实现大面积加工等一系列无机场效应晶体管所不具备的优点受到越来越多...
![应变PMOS器件阈值电压及其可靠性的模拟研究]()
论文摘要应变硅技术通过采用适当的工艺或材料在MOS器件的沟道中引入应力,改变硅的能带结构、电导有效质量以及载流子的散射概率,提高载流子的迁移率。由于在提高器件电学性能方面的卓越...
![纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究]()
论文摘要集成电路不断向着高集成度的方向发展,伴随器件尺寸的缩小,短沟道效应对器件性能的影响也日益严重,成为制约器件进一步小型化的主要因素。为了实现更好的电路性能,抑制短沟道效应...
![用于超大规模集成电路的多栅MOSFET研究]()
论文摘要在摩尔定律的指导下,集成电路半导体器件的尺寸越来越小,但是不能无限缩小。在缩小到一定程度将达到它的物理极限,严重的短沟道效应和栅极泄漏电流将会出现。这对摩尔定律的有效性...
![小尺寸MOS器件阈值电压的三维建模与仿真研究]()
论文摘要近年来,MOS器件小尺寸效应的建模与仿真技术日趋得到了学者们的广泛重视。其中,短沟道效应、窄沟道/反向窄沟道效应成为研究的重点,但现有的一维和二维模型难以准确表述它们之...
![多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型和寄生电阻提取方法]()
论文摘要本论文针对多晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistors,TFTs)提出了一个适用的阈值电压模型和一种新的源、漏寄生电阻提取方法。首先,本文成功地推导出了多晶...
![混合排列向列—边缘场转换（HAN-FFS）显示模式的简化模型研究]()
论文摘要液晶显示器在市场中是否具有竞争力,关键看是否具有优质的显示质量。最近由SeungHeeLEE等提出了一种新的显示模式即HAN-FFS模式。这种显示模式具有制作简单、宽视...
![高压PMOS器件阈值电压稳定性改善工艺研究]()
论文摘要高压CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）器件与普通CMOS器件相比存在较多电性设计要求和工艺尺寸上的差异,其电性参数的稳...
![SOI器件及铁电存储器特性研究]()
论文摘要随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸变得越来越小,导致了各种寄生效应如短沟道效应、闩锁效应、寄生电容效应等。为了满足集成电路发展的需要,必然要对半导体器件进行...
![新型SONOS单元NOR闪存设计]()
论文摘要随着闪存技术的进步,闪存产品的日渐成熟,市场竞争更加激烈,闪存设计越来越向着高性能,高密度,大容量,低功耗,低成本等方向发展。NAND结构闪存由于其低廉的位存储成本而风...
![GaN MOSFET器件特性计算机模拟分析与研究]()
论文摘要GaNMOSFET器件在高温、高频、大功率等方面具有广阔的应用前景,受到越来越多关注,目前对该器件的研究正处于起步阶段。对于n-GaNMOSFET器件,实验上的文章相对...
![复合多晶硅栅LDMOS器件的结构设计与电学特性分析]()
论文摘要近年来，随着以蜂窝式移动通信为主的通信市场爆炸式的增长，人们对于性能优异的RFLDMOS器件的需求越来越广泛，例如通讯基站使用的发射放大器，其工作频率在900MHz到2...
![纳米MOSFET量子效应模型与寄生电阻分析]()
论文摘要集成电路对于高速、高集成度、大信息存储量的追求使得MOS器件的尺寸持续缩小，但是随着MOS器件尺寸的缩小，许多原本在长沟MOS器件中不重要的参数在小尺寸器件中变得显著，...
![MOTOROLA单片机MC68HC（8）05PV8/A内嵌EEPROM的工艺和制程方法及对良率的影响研究]()
论文摘要单片微型机（SingleChipMicrocomputer）,简称单片机,又称微控制器（MCU-MicroControllerUnit）,具有体积小、功能强、性能全面、...
![低压低功耗Halo MOSFET的分析与设计]()
论文摘要低压低功耗MOS集成电路是半导体集成电路的发展方向,除了电路设计技术的改进,MOS集成电路器件结构的设计也是实现集成电路低压低功耗的重要因素。体硅MOS器件特征尺寸缩小...
