阈值电压模型论文

Si1-xGexMOSFETs模拟技术研究
论文摘要为得到适用于VLSI电路仿真的模型，本文从器件的物理机制出发，采用解析的方法，重点研究并建立了应变硅表面沟道N／PMOSFET和量子SiGe沟道PMOSFET三种典型的...