阈值电压漂移论文

异质栅器件的短沟道效应研究
论文摘要随着MOSFET器件尺寸的进一步缩小,由于沟道长度的缩短而引起的短沟道效应对器件的影响随之增加,抑制器件短沟道效应从而提高器件性能就显得十分重要。在查阅国内外相关文献资...
高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究
论文摘要在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一种新型的高κ材料来代替传统的SiO2栅介质...