载流子限域性论文

GaN基双异质结构研究
论文摘要由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势，GaN基（包括InN、GaN、AlN及其合金）半导体技术近10年来得到了飞速的发展，特别是AlGaN/GaNHE...
GaN基双异质结特性研究
论文摘要由于出色的高频大功率处理能力,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件成为下一代RF和微波功率放大器的理想继任者。近些年来,随着材料质量和器件工艺的不断进步...