锗硅论文

硅基纳米结构及功能氧化物薄膜的分子束外延生长与特性研究
论文摘要随着半导体技术的进步,人们越来越面临两方面的挑战.一方面,随着集成度的日益提高,器件的尺寸不断的减小,其已经越来越接近传统半导体器件的物理极限.这时器件中的载流子的行为...
基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
论文摘要随着纳米加工技术的迅速发展,晶体管的特征尺寸已进入纳米级。通过等比例缩小的方法提高当前主流硅CMOS器件的性能受到越来越多物理、工艺的限制。为了使集成电路技术能延续摩尔...
光波导GeSi光电探测器的研究
论文摘要Si基光电子集成采用成熟价廉的微电子加工工艺，将光学器件与多种功能的微电子电路集成，是实现光通信普及发展的有效途径。Si基OEIC（OptoelectronicInte...