锗硅源漏论文

应变PMOS器件阈值电压及其可靠性的模拟研究
论文摘要应变硅技术通过采用适当的工艺或材料在MOS器件的沟道中引入应力,改变硅的能带结构、电导有效质量以及载流子的散射概率,提高载流子的迁移率。由于在提高器件电学性能方面的卓越...