正电子湮灭论文

论文摘要近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的重要因素，因此准确鉴别和量化材料中的点...

本文主要研究内容作者蓝文鸿,吴英,杜永琪,刘泽坤,李臻,高峰（2019）在《正电子致电离截面实验中束流强度的在线测量》一文中研究指出：本文采用HPGe探测器实时收集了正电子碰撞...