直拉硅论文

论文摘要电子辐照会在晶体硅中引入点缺陷空位和间隙原子，它们与硅中氧原子或者缺陷之间相互作用形成VO、VO2等空位型缺陷。因此研究单晶硅的电子辐照效应和辐照缺陷的控制与利用具有重...

论文摘要在硅片和器件制造过程中,作为过渡族金属之一的铜（Cu）有可能会沾污硅片。由于在硅中具有快扩散速率及固溶度随温度急剧下降等特性,Cu很容易在硅片热处理的冷却过程中形成沉淀...

论文摘要直拉硅经电子辐照后,进入硅中的电子会与硅原子发生碰撞从而产生间隙原子（硅）和空穴等缺陷,这些缺陷之间会发生相互作用,从而产生次级缺陷。这些缺陷并不稳定,通过200～50...

论文摘要太阳能发电被认为是解决能源短缺最有效的途径之一,近10年来,其产业规模正以超过30%的速度增长。为了满足大规模的应用,传统晶体硅太阳电池面临着高转化效率,长使用寿命,低...

论文摘要集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂工艺在不断地改进。国际著名的硅片供应商——...

论文摘要超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。随着直拉硅单晶的大直径化,硅中氧含量有所下降,而...

论文摘要硅材料是微电子产业的基础材料。随着超大规模集成电路（ULSI）特征线宽的不断减小，对直拉硅中杂质和缺陷控制的要求越来越严格。氧是直拉硅单晶中最重要的非故意掺入杂质，与氧...

论文摘要本文对快中子辐照直拉硅的辐照缺陷在退火过程中的转化机制和辐照缺陷对高温退火后氧化诱生缺陷的影响进行了研究。实验结果表明对快中子辐照直拉硅进行100℃-700℃短时热处理...

论文摘要直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过程中,硅片中产生的氧沉淀及其诱生缺陷...

论文摘要半导体硅材料是微电子产业的基础材料。多年来,人们一直在研究如何控制和利用直拉硅中的杂质和缺陷,即所谓的“缺陷工程”。其中内吸杂工艺是学术界和工业界普遍关注的重点领域。近...

论文摘要本文中利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照直拉硅(CZSi)中氧沉淀及诱生缺陷形...