中间势垒层论文

AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究
论文摘要AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN/GaN量子阱中获得短波...