自持膜论文

层状多孔ZnO自持膜的制备及其气敏性能研究
论文摘要ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,它在室温下的禁带宽度为3.37ev,并具有高达60meV的激子结合能。由于具有上述优良的性质,它一直被广泛应用于压电换能器、压敏传...