自热效应论文
![4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究]()
4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究
论文摘要碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统半导体材料Si和GaAs相比,SiC材料...![AlGaN/GaN HEMT器件建模及功率合成研究]()
AlGaN/GaN HEMT器件建模及功率合成研究
论文摘要GaN是近年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,AlGaN/GaNHEMT在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用前景。准确的器件建模对提高RF和微波电...![4H-SiC MESFET非线性模型研究]()
4H-SiC MESFET非线性模型研究
论文摘要SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。4H-SiC金属...![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究]()
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究
论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...![AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作]()
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...
