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ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究
论文摘要氧化锌(ZnO)是具有高激子束缚能(60meV)的宽带隙半导体(室温下约3.37eV)。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性,而备受关注。最近几年来,稀磁半导体材料...