总剂量效应论文

本文主要研究内容作者姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵,赵培雄,孙友梅,陆妩,郑齐文（2019）在《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》一文中研究指出：电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRA...