族半导体界面论文

IV-VI族半导体薄膜生长行为及金属/IV-VI族半导体界面性质研究
论文摘要Ⅳ-Ⅵ族半导体PbX（X=S,Se,Te）具有窄的直接带隙（常温下约0.3eV）,对称的能带结构,以及由重空穴带缺失导致的低俄歇复合率等本征特性,使其在中红外（波长范围...