组分均匀性论文

AlInN/GaN异质结薄膜生长和双沟道HEMT电学特性研究
论文摘要III-V族氮化物作为具有广阔应用前景的第三代半导体材料,近年来成为半导体光电子学和微电子学研究的热点。在这些III-V族氮化物中Al1-xInxN材料又成为这些研究中...